Обозначение | Заглавие на русском языке | Статус | Язык документа | Цена (с НДС 20%) в рублях |
|
Кислота плавиковая для полупроводниковой технологии. Определение следов кобальта, хрома, меди, железа и никеля методом эмиссионной спектрометрии в плазме
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания примесей в жидкостях. Часть 2. Определение содержания кальция (Ca), кобальта (Co), хрома (Cr), меди (Cu), железа (Fе), никеля (Ni) и цинка (Zn) в плавиковой кислоте методом эмиссионной спектроскопии с наведенной плазмой
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Материалы для полупроводниковой технологии. Определение следов металла в жидкостях. Определение содержания алюминия, кобальта, меди, натрия, никеля, цинка в азотной кислоте методом ICP-MS
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания примесей в жидкостях. Часть 3. Определение содержания алюминия (Al), кобальта (Co), меди (Cu), натрия (Na), никеля (Ni) и цинка (Zn) в азотной кислоте с помощью ICP-MS масс-спектрометра с индуцируемой плазмой
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания микроэлементов в жидкостях. Часть 3. Определение 31 элемента в сверхчистой азотной кислоте методом масс-спектрометрического анализа с индуктивно-связанной плазмой
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания примесей в жидкостях. Часть 4. Определение 34 элементов в сверхчистой воде масс-спектрометрическим анализом с индуктивно-связанной плазмой
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания микроэлементов в жидкостях. Часть 5. Руководство по выбору материалов для испытания их соответствия для аппаратуры отбора и приготовления проб для определения микроэлементов в диапазоне микрограмм на килогграмм и нанограмм на килограмм
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания микроэлементов в жидкостях. Часть 6. Определение 36 элемента в сверхчистом растворе фтористого аммония (NH<(Индекс)>F) и в травильных смесях сверхчистого раствора фтористого аммония, содержащего фтористоводородную кислоту
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Испытания материалов для полупроводниковых технологий. Определение следовых элементов в жидкостях. Часть 7. Определение 31 элемента в соляной кислоте высокой чистоты методом ИСП-МС
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Жидкости для полупроводниковой технологии. Метод гранулометрического анализа. Часть 1. Микроскопический метод
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Жидкости для полупроводниковой технологии. Метод гранулометрического анализа. Определение с применением оптического счетчика
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Испытания материалов для полупроводниковой технологии. Метод гранулометрического анализа в жидкотях. Часть 2. Определение частиц с применением оптических счетчиков
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Жидкости для полупроводниковой технологии. Метод гранулометрического анализа. Часть 3. Калибровка оптических счетчиков частиц
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Материалы для полупроводниковой технологии. Определение скорости травления травильных смесей. Монокристаллы кремния, гравиметрический метод
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Материалы для полупроводниковой технологии. Определение скорости травления травильных смесей. Покрытие из диоксида кремния, оптический метод
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Материалы для полупроводниковой технологии. Определение скорости травления травильных смесей. Часть 3. Алюминий, гравиметрический метод
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Монокристаллы арсенида галлия 3-5- сложных полупроводников. Определение дислокационной ямки травления
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Монокристаллы Ш-V сложных полупроводников. Определение плотности дислокационных ямок травления. Часть 1. Арсенид галлия
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Монокристаллы Ш-V сложных полупроводников. Определение плотности дислокационных ямок травления. Часть 2. Фосфид индия
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
|
Монокристаллы Ш-V сложных полупроводников. Определение плотности дислокационных ямок травления. Часть 3. Фосфид галлия
|
|
На языке оригинала
|
Пишите на gost@gostinfo.ru
|
|
Страницы: 1 / 2 / 3 / 4 |